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金剛石薄膜
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高阻DOI
產品概述:
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技術參數(shù)

Si基片晶向:

(100) + / - 0.5o

絕緣層:

SiO2

金剛石薄膜厚度: 

2 micron

氧化層厚度:

1 micron

電阻率

10E3 ~ 10E4 ohm-cm

產品規(guī)格

4" diameter x0.5mm

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋或者單片盒裝


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