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硅(Si)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 化學符號為Si,主要用途有：制作半導體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底等材料。
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本站產(chǎn)品介紹內容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數(shù)
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摻雜物質： | 摻B | 摻P | 類型： | P | N | 電阻率Ω.cm： | 10-3 ~ 40 | 10-3 ~ 40 | EPD (cm-2 )： | ≤100 | ≤100 | 氧含量( /cm3 )： | ≤1.8 x1018 | ≤1.8 x1018 | 碳含量( /cm3 )： | ≤5x1016 | ≤5x1016 |
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| 常規(guī)規(guī)格
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晶體方向：<111>、<100>、<110> ± 0.5° 或 特殊的方向； 常規(guī)尺寸:dia1"x 0.30 mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm; 表面粗糙度：Ra<10A 可提供熱氧化SiO2層的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基片!歡迎您的咨詢！ |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋單片盒或25片插盒封裝 |
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