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BP黑鱗晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 黑磷是一種帶隙約為0.3 eV的半導體。這些層通過范德瓦爾斯相互作用疊加在一起。用于半導體電子器件、光學器件、FET器件研究、催化、能儲；各向異性運輸和光電等研究。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 晶體名稱
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BP 黑磷
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| 技術(shù)參數(shù)
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純度： | >99.999％ | 顏色： | 黑色 | 電導： | 半導體 | 禁帶寬度： | 0.3eV | 生長方法： | CVT法人工合成 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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注意事項
| 不要接觸水和空氣不要長時間的暴露在空氣中，盡量戴手套在手套箱作 | 常規(guī)尺寸
| 不規(guī)則形狀≈8*8*0.2mm |
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| 標準包裝
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100級超凈袋、盒子真空包裝。
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